CMP過(guò)濾解決方案

化學(xué)機(jī)械平面化（CMP）是用于制造半導(dǎo)體工業(yè)晶圓的拋光工藝，是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一種技術(shù)，使用化學(xué)腐蝕及機(jī)械力對(duì)加工過(guò)程中的硅晶圓或其它襯底材料進(jìn)行平坦化處理。化學(xué)機(jī)械拋光解決方案改進(jìn)了創(chuàng)建多層半導(dǎo)體電路的過(guò)程。其中進(jìn)行化學(xué)研磨的漿料我們一般稱(chēng)為研磨液slurry，由于化學(xué)不穩(wěn)定性和處理步驟等問(wèn)題，一般在研磨液slurry中會(huì)緩慢形成凝膠和附聚物，這些形成的大顆粒被輸送到晶圓的表面，會(huì)導(dǎo)致晶圓表面微劃痕等缺陷，從而導(dǎo)致晶圓產(chǎn)量重大損失，所以CMP過(guò)濾需要在不影響拋光性能的情況下去除導(dǎo)致大顆粒和團(tuán)聚的缺陷至關(guān)重要。其輸送系統(tǒng)見(jiàn)下：

CMP slurry輸送系統(tǒng)

CMP過(guò)濾產(chǎn)品

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